參數(shù)資料
型號(hào): TIM1011-8L
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: MICROWAVE POWER GaAs FET
中文描述: 微波功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 141K
代理商: TIM1011-8L
T IM1011-8L
RF PERFORMANCE
Output Power (Pout) vs. Frequency
VDS=9V
IDS
3.4A
Pin=33.5 dBm
Frequency(GHz)
Output Power(Pout) vs. Input Power(Pin)
3
freq.=11.7GHz
VDS=9V
IDS
3.4A
Pout
η
add
10.7
11.2
11.7
41
40
39
38
37
P
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
40
30
20
10
0
P
η
a
27
29
31
33
35
37
Pin(dBm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIM1213-4L Low Distortion Internally Matched Power GaAs FETs (X, Ku-Band)
TIM1213-5 MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1314-30L MICROWAVE POWER GaAs FET
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TIM1414-2L MICROWAVE POWER GaAs FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TIM1011-8UL 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 11GHZ, 60W - Trays
TIM104K035P0X 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體鉛 0.1uF 35Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產(chǎn)品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
TIM104K050P0X 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體鉛 0.1uF 50Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產(chǎn)品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
TIM105K025P0X 制造商:CORNELL DUBILIER ELECTRONICS 功能描述:Cap Tant Solid 1uF 25V 10% (7.24 X 4.32 X 5.71mm) Radial 5.08mm 125°C T/R
TIM105K035P0X 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體鉛 1.0uF 35V 10% RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產(chǎn)品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray