參數(shù)資料
型號： TIM1213-5
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： MICROWAVE POWER GaAs FET
中文描述： 微波功率GaAs場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 85K
代理商： TIM1213-5
2
TIM1213-5
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25
°
C )
CHARACTERISTICS
SYMBOL
UNIT
RATING
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Total Power Dissipation (Tc= 25
°
C)
Channel Temperature
Storage Temperature
PACKAGE OUTLINE (2-9D1B)
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
stg
V
V
A
W
°
C
°
C
15
-5
5.7
30
175
-65 to +175
HANDLING PRECAUTIONS FOR PACKAGED TYPE
Soldering iron should be grounded and the operating time should not exceed 10 seconds
at 260
°
C.
4-R2.4
0.5
±
0.15
13.0
±
0.3
17.0 MAX.
9
±
0
2
±
0
2
2
0
1
±
0
1
±
0
8.5 MAX.
0
3
-
+
Gate
Source
Drain
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