參數(shù)資料
型號(hào): TMS27C512-150
廠商: Texas Instruments, Inc.
英文描述: Programmable Read-Only Memory(64K×8結(jié)構(gòu),可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)
中文描述: 可編程只讀存儲(chǔ)器(64K的× 8結(jié)構(gòu),可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)
文件頁(yè)數(shù): 11/13頁(yè)
文件大?。?/td> 283K
代理商: TMS27C512-150
TMS27C512 524288-BIT UV ERSABLE PROGRAMMABLE
TMS27PC512 524288-BIT PROGRAMMABLE
READ-ONLY MEMORY
SMLS512F – NOVEMBER 1985 – REVISED JUNE 1995
11
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
A0–A15
E
Addresses Valid
ta(E)
G/VPP
DQ0–DQ7
Hi-Z
ten(G)
tv(A)
tdis
Output Valid
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
Hi-Z
ta(A)
Figure 3. Read-Cycle Timing
A0–A15
DQ0–DQ7
G/VPP
VCC
Address Stable
VIH
VIL
VIH/VOH
VIL/VOL
VPP
VIL
VCC
VCC
tsu(A)
th(A)
tsu(D)
tsu(VPP)
tsu(VCC)
th(D)
tw(IPGM)
tdis(G)
E
VIH
VIL
th(VPP)
Data-Out Valid
Hi-Z
Data-In Stable
tEHD
tr(PG)G
trec(PG)
tdis(G) is a characteristic of the device but must be accommodated by the programmer.
13-V G/VPP and 6.5-V VCC for SNAP! Pulse programming.
Figure 4. Program-Cycle Timing (SNAP! Pulse Programming)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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