參數(shù)資料
型號： TPC6002
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型MOSII）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 156K
代理商： TPC6002
TPC6002
2001-11-07
4
Ambient temperature Ta (
°
C)
R
DS (ON)
– Ta
D
R
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
Capacitance – V
DS
C
Ambient temperature Ta (°C)
V
th
– Ta
G
t
Ambient temperature Ta (°C)
P
D
– Tc
D
D
G
G
Total gate charge Q
g
(nC)
Dynamic input/output characteristics
D
D
0
10
20
30
40
60
80
40
0
40
80
160
Common source
Pulse test
50
120
ID 6 A, 3 A, 1.5 A
VGS 4.5 V
VGS 10 V
ID 6 A, 3 A, 1.5 A
0.1
1
30
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.2
3
0.3
100
Common source
Ta 25°C
Pulse test
10
VGS 0 V
1 V
3 V
5 V
10 V
0
3
10
100
0.3
1
30
10
100
1000
0.1
30
300
Common source
VGS 0 V
f 1 MHz
Ta 25°C
Crss
Coss
Ciss
0
1
1.5
2
2.5
3
80
40
0
40
80
160
Common source
VDS 10 V
ID 1 mA
Pulse test
120
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
40
80
120
160
(1) t 5 s
(2) t 5 s
(1) DC
(2) DC
(1) Device mounted on a
glass-epoxy board (a)
(Note 2a)
(2) Device mounted on a
glass-epoxy board (b)
(Note 2b)
0
0
5
4
12
16
20
10
25
35
0
4
8
10
16
Common source
ID 6 A
Ta 25°C
Pulse test
12 V
VGS
VDD 24 V
15
20
30
40
8
24
14
12
6
2
VDD 24 V
6 V
6 V
12 V
VDS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TPC6003 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
TPC6005 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
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參數(shù)描述
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TPC6002(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
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