參數(shù)資料
型號(hào)： TPC6002
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型MOSII）
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 156K
代理商： TPC6002
TPC6002
2001-11-07
5
r
th
t
w
T
t
Pulse t
w
(S)
Safe operating area
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
0.001
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
100
30
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
10
1
3
100
30
*:
Single nonrepetitive pulse
Ta 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature
ID max (pulsed)
*
10 ms
*
1 ms
*
VDSS
max
0.1
0.001
0.01
0.1
10
100
1000
1
0.3
3
30
100
300
1000
Single pulse
Device mounted on a glass-
epoxy board (b) (Note 2b)
1
Device mounted on a glass-
epoxy board (a) (Note 2a)
10
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PDF描述
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參數(shù)描述
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