參數(shù)資料
型號(hào)： TPC6003
廠(chǎng)商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 157K
代理商： TPC6003
TPC6003
2002-01-15
4
Ambient temperature Ta (
°
C)
R
DS (ON)
– Ta
D
R
Drain-source voltage VDS (V)
I
DR
– V
DS
D
Drain-source voltage VDS
Capacitance
– V
DS
C
Ambient temperature Ta (
°
C)
V
th
– Ta
G
Ambient temperature Ta (
°
C)
P
D
– Ta
G
Total gate charge Qg (nC)
Dynamic input/output characteristics
D
0
10
20
30
40
50
Common source
Pulse test
80
40
0
40
80
160
120
VGS 4.5 V
VGS 10 V
ID 1.5 A, 3 A
ID 6 A
ID 1.5 A, 3 A, 6 A
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
3000
300
30
0.3
3
30
Ciss
Crss
Coss
Common source
VGS 0 V
f 1 MHz
Ta 25°C
0
0.5
1.5
2.0
2.5
3.5
80
40
0
40
80
160
Common source
VDS 10 V
ID 1 mA
Pulse test
120
3.0
1.0
0
0
8
16
10
30
50
0
5
15
25
20
24
32
40
20
40
10
6 V
12 V
VDD 24 V
VGS
VDD 24 V
12 V
6 V
Common source
ID 6 A
Ta 25°C
Pulse test
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
40
80
120
160
(1) Device mounted on a
glass-epoxy board (a)
(Note 2a)
(2) Device mounted on a
glass-epoxy board (b)
(Note 2b)
(1) t 5 s
(2) t 5 s
(1) DC
(2) DC
0.1
1
10
0
0.8
1.2
1.6
2.0
0.4
3
0.3
100
Common source
Ta 25°C
Pulse test
30
D
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PDF描述
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