參數(shù)資料
型號： TPC8207
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 219K
代理商： TPC8207
TPC8207
2004-07-06
4
I
D
– V
DS
I
D
– V
DS
I
D
– V
GS
V
DS
– V
GS
|Y
fs
| – I
D
R
DS (ON)
– I
D
F
Y
f
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
Drain current I
D
(A)
Drain current I
D
(A)
D
R
D
)
VGS
=
1.3 V
0
0.2
0.4
0.6
Common source, Ta
=
25°C, Pulse test
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1
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16
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0
1
2
3
4
5
VGS
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1.3 V
10
6
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Ta
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1.55
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1.8
1.9
2
0
0
1
2
3
4
5
4
8
12
16
20
Common source
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=
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Pulse test
Ta
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100
25
1
1
10
100
10
100
1000
2.5
VGS
=
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6
4
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
0
0
2
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10
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1.0
Common source
Ta
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Pulse test
ID
=
6 A
3
4
1.0
0.1
1.0
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100.0
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Common source
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55
25
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PDF描述
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