參數(shù)資料
型號(hào)： TPC8209
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOS II)
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 312K
代理商： TPC8209
TPC8209
2003-02-18
5
R
DS (ON)
– Ta
Ambient temperature Ta (°C)
D
D
I
DR
– V
DS
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
Capacitance – V
DS
Drain-source voltage V
DS
(V)
C
V
th
– Ta
Ambient temperature Ta (°C)
G
t
P
D
– Ta
D
D
Ambient temperature Ta (°C)
0
0
0.5
1.0
1.5
2
50
100
150
200
(1) Device mounted on a
glass-epoxy board (a)
(Note 2a)
(2) Device mounted on a
glass-epoxy board (b)
(Note 2b)
t 10 s
(1)
(2)
(3)
(4)
Dynamic input/output characteristics
D
D
G
G
Total gate charge Q
g
(nC)
0
20
40
60
80
100
-80
-40
0
40
80
120
160
10V
VGS=4V
1.3
ID=1.3/2.5/5.0A
2.5
ID=5.0A
Common source
Pulse test
0.1
1
10
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
10
5
3
1
VGS=0V,-1V
-
-
-
-
-
Common source
Ta 25°C
Pulse test
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
Ciss
Crss
Coss
Common source
VGS 10 V
ID 1 mA
Pulse test
0
1
2
3
4
5
-80
-40
0
40
80
120
160
Common source
V
DS
10 V
f 1 mA
Pulse test
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
VDS
VGS
VDD=24V
12
6
40
Common source
Ta 25°C
I
D
8 A
Pulse test
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PDF描述
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