型號: | TSC87251G2D-L16CER |
廠商: | Atmel |
文件頁數(shù): | 33/77頁 |
文件大小: | 0K |
描述: | IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1,500 |
系列: | 8x251 |
核心處理器: | C251 |
芯體尺寸: | 8/16-位 |
速度: | 16MHz |
連通性: | EBI/EMI,I²C,Microwire,SPI,UART/USART |
外圍設(shè)備: | POR,PWM,WDT |
輸入/輸出數(shù): | 32 |
程序存儲器容量: | 32KB(32K x 8) |
程序存儲器類型: | OTP |
RAM 容量: | 1K x 8 |
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): | 2.7 V ~ 5.5 V |
振蕩器型: | 內(nèi)部 |
工作溫度: | 0°C ~ 70°C |
封裝/外殼: | 44-LQFP |
包裝: | 帶卷 (TR) |
其它名稱: | TSC87251G2DL16CER |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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TS87C51RB2-LIB | IC MCU 8BIT 16K OTP 30MHZ 44PLCC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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TSC873CT A3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TSC873CW RPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TSC888AILT | 功能描述:電流靈敏放大器 Sense Amplifier 20 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 共模抑制比(最小值):110 dB 輸入補償電壓:80 uV 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:2.7 V 電源電流:350 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-16 封裝:Reel |
TSC888BILT | 功能描述:電流靈敏放大器 Sense Amplifier 50 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 共模抑制比(最小值):110 dB 輸入補償電壓:80 uV 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:2.7 V 電源電流:350 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-16 封裝:Reel |
TSC888CILT | 功能描述:電流靈敏放大器 Sense Amplifier 100 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 共模抑制比(最小值):110 dB 輸入補償電壓:80 uV 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:2.7 V 電源電流:350 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-16 封裝:Reel |