參數(shù)資料
| 型號： | TSC87251G2D-L16CER |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁數(shù)： | 9/77頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP |
| 標準包裝： | 1,500 |
| 系列： | 8x251 |
| 核心處理器： | C251 |
| 芯體尺寸： | 8/16-位 |
| 速度： | 16MHz |
| 連通性： | EBI/EMI，I²C，Microwire，SPI，UART/USART |
| 外圍設備： | POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 32 |
| 程序存儲器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存儲器類型： | OTP |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 振蕩器型： | 內部 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 44-LQFP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | TSC87251G2DL16CER |
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AT/TSC8x251G2D
4135F–8051–11/06
Configuration Bytes
The TSC80251G2D derivatives provide user design flexibility by configuring certain
operating features at device reset. These features fall into the following categories:
external memory interface (Page mode, address bits, programmed wait states and
the address range for RD#, WR#, and PSEN#)
source mode/binary mode opcodes
selection of bytes stored on the stack by an interrupt
mapping of the upper portion of on-chip code memory to region 00:
12) provide the information.
When EA# is tied to a low level, the configuration bytes are fetched from the external
address space. The TSC80251G2D derivatives reserve the top eight bytes of the mem-
ory address space (FF:FFF8h-FF:FFFFh) for an external 8-byte configuration array.
Only two bytes are actually used: UCONFIG0 at FF:FFF8h and UCONFIG1 at
FF:FFF9h.
For the mask ROM devices, configuration information is stored in on-chip memory (see
ROM Verifying). When EA# is tied to a high level, the configuration information is
retrieved from the on-chip memory instead of the external address space and there is no
restriction in the usage of the external memory.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PIC18F86K90-I/PTRSL | MCU PIC 64K FLASH XLP 80TQFP |
| 201692-4 | CONN HOUSING PLUG 104POS BLACK |
| 202800-2 | CONN HOUSING RECEPT 160POS BLACK |
| TS80C51RD2-MIB | IC MCU 8BIT 768BYTE 40MHZ 44PLCC |
| TS87C51RB2-LIB | IC MCU 8BIT 16K OTP 30MHZ 44PLCC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TSC873CT A3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TSC873CW RPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TSC888AILT | 功能描述:電流靈敏放大器 Sense Amplifier 20 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 共模抑制比（最小值）:110 dB 輸入補償電壓:80 uV 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:2.7 V 電源電流:350 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-16 封裝:Reel |
| TSC888BILT | 功能描述:電流靈敏放大器 Sense Amplifier 50 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 共模抑制比（最小值）:110 dB 輸入補償電壓:80 uV 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:2.7 V 電源電流:350 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-16 封裝:Reel |
| TSC888CILT | 功能描述:電流靈敏放大器 Sense Amplifier 100 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 共模抑制比（最小值）:110 dB 輸入補償電壓:80 uV 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:2.7 V 電源電流:350 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-16 封裝:Reel |
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