參數(shù)資料
型號(hào)： TSM1N60CP
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
中文描述： N溝道功率增強(qiáng)型MOS管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 174K
代理商： TSM1N60CP
TSM1N60
3-4
2003/12 rev. E
Typical Characteristics Curve
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM1N60 N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60L_07 600V N-Channel Power MOSFET
TSM1N60L N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60LCH N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60LCP N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSM1N60LCH 功能描述:MOSFET 600V 1.0A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM1N60LCH C5 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
TSM1N60LCP 功能描述:MOSFET 600V 1A N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM1N60LCP R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
TSM1N60SCT 功能描述:MOSFET 600V 1A N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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