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參數(shù)資料
| 型號： | UM_S3C2501X |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2-WIRE FACTORY PROGRAMMED W/TIN PLATING |
| 中文描述： | 32位RISC微處理器 |
| 文件頁數(shù)： | 239/465頁 |
| 文件大?。?/td> | 1579K |
| 代理商： | UM_S3C2501X |
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MEMORY CONTROLLER
S3C2501X
5-24
[3:0] Chip selection hold time on nOE: TCOH
0000 = 0 cycle
0001 = 1 cycle
0100 = 4 cycles 0101 = 5 cycles 0110 = 6 cycles 0111 = 7 cycles
1000 = 8 cycles 1001 = 9 cycles 1010 = 10 cycles 1011 = 11 cycles
1100 = 12 cycles 1101 = 13 cycles 1110 = 14 cycles 1111 = 15 cycles
0010 = 2 cycles 0011 = 3 cycles
[7:4] Chip selection setup time on nOE: TCOS
0000 = 0 cycle
0001 = 1 cycle
0100 = 4 cycles 0101 = 5 cycles 0110 = 6 cycles 0111 = 7 cycles
1000 = 8 cycles 1001 = 9 cycles 1010 = 10 cycles 1011 = 11 cycles
1100 = 12 cycles 1101 = 13 cycles 1110 = 14 cycles 1111 = 15 cycles
0010 = 2 cycles 0011 = 3 cycles
[11:8] Address setup time: TACS
0000 = 0 cycle
0100 = 4 cycle
1000 = 8 cycle
1100 = 12 cycle 1101 = 13 cycle 1110 = 14 cycle 1111 = 15 cycle
0001 = 1 cycle
0101 = 5 cycle
1001 = 9 cycle
0010 = 2 cycle
0110 = 6 cycle
1010 = 10 cycle 1011 = 11 cycle
0011 = 3 cycle
0111 = 7 cycle
[15:12] Page address access cycle: TPA
0000 = 0 cycle
0001 = 1 cycle
0100 = 4 cycles 0101 = 5 cycles 0110 = 6 cycles 0111 = 7 cycles
1000 = 8 cycles 1001 = 9 cycles 1010 = 10 cycles 1011 = 11 cycles
1100 = 12 cycles 1101 = 13 cycles 1110 = 14 cycles 1111 = 15 cycles
0010 = 2 cycles 0011 = 3 cycles
[20:16] Access cycles(nOE low time): TACC
00000 = reserved00001 = reserved00010 = reserved00011 = 3 cycles
00100 = 4 cycles 00101 = 5 cycles 00110 = 6 cycles 00111 = 7 cycles
01000 = 8 cycles 01001 = 9 cycles 01010 = 10 cycles
01100 = 12 cycles
01101 = 13 cycles
10000 = 16 cycles
10001 = 17 cycles
10100 = 20 cycles
10101 = 21 cycles
11000 = 24 cycles
11001 = 25 cycles
11100 = 28 cycles
11101 = 29 cycles
01011 = 11 cycles
01110 = 14 cycles
10010 = 18 cycles
10110 = 22 cycles
11010 = 26 cycles
11110 = 30 cycles
01111 = 15 cycles
10011 = 19 cycles
10111 = 23 cycles
11011 = 27 cycles
11111 = 31 cycles
[22:21] Reserved
[23] nWBE or nBE/DQM selection: IS
0 = nWBE function
NOTE:
The nWBE signal is operated at only writing operation.
The nBE/DQM signal is operated at writing and reading operation.
1 = nBE function
[27:24] Bank Size: BS
0000 = Disable
0100 = 8M
0001 = 1M
0101 = 16M
0010 = 2M
0110-1111 = Reserved
0011 = 4M
[29:28] Page mode configuration: PMC
00 = Normal ROM or External I/O 01 = 4 word page
10 = 8 word page
11 = 16 word page
[31:30] Physical memory data bus width: DW
00 = Reserved
01 = 8-bit
10 = 16-bit
11 = 32-bit
31
27
15
DW
28
16
11
12
21 20
TACC
TPA
22
TACS
BS
IS
8
7
4
3
0
30 29
23
24
PMC
TCOS
TCOH
Figure 5-11. Bank n Control (BnCON) Register Configuration
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UM_S3C49F9X | S3C49F9X User’s Manual |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| UMSA04A03T1V2 | 制造商:AAC 制造商全稱:American Accurate Components, Inc. 功能描述:UMS Ultra-Low Capacitance MAX Guard? ESD Suppressor (High Frequency Type) |
| UMSA04A03T2V1 | 制造商:AAC 制造商全稱:American Accurate Components, Inc. 功能描述:UMS Ultra-Low Capacitance MAX Guard? ESD Suppressor (High Frequency Type) |
| UMSA04A03T2V2 | 制造商:AAC 制造商全稱:American Accurate Components, Inc. 功能描述:UMS Ultra-Low Capacitance MAX Guard? ESD Suppressor (High Frequency Type) |
| UMSA04A05T1V1 | 制造商:AAC 制造商全稱:American Accurate Components, Inc. 功能描述:UMS Ultra-Low Capacitance MAX Guard? ESD Suppressor (High Frequency Type) |
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