參數(shù)資料
型號: UNRL115
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ML4-N1, 4 PIN
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大小: 126K
代理商: UNRL115
UNRL110/111/113/114/115
3
SJH00044AED
Characteristics charts of UNRL111
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
0.1
0.3
Collector to base voltage V
CB
(V)
6
5
4
3
2
1
1
3
10
30
100
C
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
3
0.4
10
30
100
300
1
000
3
000
10
000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
C
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
0.2 V
T
a
= 25
°
C
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
140
100
60
20
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
3
Collector current I
C
(mA)
40
80
120
160
10
30
100
300
1
000
F
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
0.3
Collector to base voltage V
CB
(V)
6
5
4
3
2
1
1
3
10
30
100
C
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
3
0.4
10
30
100
300
1
000
3
000
10
000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
C
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UP0411M Silicon PNP epitaxial planar type
UP04312 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
UP04315 Silicon NPN epitaxial planar type Silicon PNP epitaxial planar type
UPA1428 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE
UPA1428A NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNRL11500A 功能描述:TRANS PNP W/RES 160 HFE LEADLESS RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNRL210 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNRL211 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNRL21100A 功能描述:TRANS NPN W/RES 35 HFE LEADLESS RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNRL213 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor