型號(hào): | UPA813T-T1 |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4570 SMALL MINI MOLD |
中文描述: | NPN硅外延晶體管,配有2個(gè)2SC4570小微型模具 |
文件頁數(shù): | 6/8頁 |
文件大小: | 53K |
代理商: | UPA813T-T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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UPA814 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
UPA814TC | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
UPA814TC-T1 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
UPA822TF | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
UPA822TF-T1 | BJT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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UPA814 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
UPA814T | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
UPA814T-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
UPA814TC | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
UPA814TC-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |