參數(shù)資料
型號(hào)： UPA814
廠(chǎng)商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
中文描述： NPN硅外延晶體管，配有2個(gè)2SC5195平引腳6引腳薄型超超級(jí)MINIMOLD
文件頁(yè)數(shù)： 18/20頁(yè)
文件大?。?/td> 84K
代理商： UPA814
μ
PA814TC
18
Data Sheet P14551EJ1V0DS00
[MEMO]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA814TC NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA814TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA822TF NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA822TF-T1 BJT
UPA826TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5010 FLAT-LEAD 6-PIN THIN -TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA814T 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA814T-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA814TC 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA814TC-T1 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA814TF 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:BJT
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