參數(shù)資料
型號(hào)： UPA814TC
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
中文描述： NPN硅外延晶體管，配有2個(gè)2SC5195平引腳6引腳薄型超超級(jí)MINIMOLD
文件頁(yè)數(shù)： 3/20頁(yè)
文件大?。?/td> 84K
代理商： UPA814TC
μ
PA814TC
Data Sheet P14551EJ1V0DS00
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
T
T
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
G
T
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
D
F
Collector Current I
C
(mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
S
2
2
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
= 1 V
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0
0.5
1
0
100
230
200
0
50
100
150
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
5.000
15.000
1
10
100
10
100
1 000
0.1
1
10
100
0.000
2.000
4.000
6.000
8.000
9.000
1
10
100
2 Elements in total
Free Air
Per
Element
V
CE
= 1 V
I
B
= 160 A
I
B
= 140 A
I
B
= 120 A
I
B
= 100 A
I
B
= 80 A
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
13.000
11.000
9.000
7.000
V
CE
= 1 V
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
f = 2 GHz
V
CE
= 1 V
V
CE
= 3 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA814TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA822TF NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA822TF-T1 BJT
UPA826TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5010 FLAT-LEAD 6-PIN THIN -TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA826TF NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA814TC-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA814TF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
UPA814TF-T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
UPA814TKB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363
UPA814T-T1 功能描述:TRANS NPN HF FT=9GHZ SOT-363 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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