參數(shù)資料
型號(hào): UPA827TF-T1
廠商: NEC Corp.
英文描述: HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5179 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
中文描述: 高頻低噪聲放大器NPN硅外延雙晶體管,配有6引腳2 × 2SC5179薄型小微型模具
文件頁(yè)數(shù): 14/16頁(yè)
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代理商: UPA827TF-T1
P
PA827TF
14
[MEMO]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA827TF HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5179 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
UPA828 HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
UPA828TF HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
UPA828TF-T1 HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
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參數(shù)描述
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UPA828TD-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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