參數(shù)資料
型號： UPD44165362F5-E60-EQ1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 18M-BIT QDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION
中文描述： 1800萬位推出QDRII SRAM的2字爆發(fā)運(yùn)作
文件頁數(shù)： 18/32頁
文件大?。?/td> 385K
代理商： UPD44165362F5-E60-EQ1
18
Data Sheet M15824EJ7V
1
DS
μ
PD44165082, 44165182, 44165362
JTAG AC Test Conditions
Input waveform (Rise / Fall time
≤
1 ns)
0.9 V
0.9 V
Test Points
1.8 V
0 V
Output waveform
0.9 V
0.9 V
Test Points
Output load
Figure 2. External load at test
TDO
Z
O
= 50
V
TT
= 0.9 V
20 pF
50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPD44165082F5-E75-EQ1 18M-BIT QDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION
UPD44165182F5-E50-EQ1 18M-BIT QDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION
UPD44165362F5-E50-EQ1 18M-BIT QDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION
UPD44321361GF-A75 32M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION
UPD44321181 32M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPD44321182GF-A50(A) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPD44324182BF5-E40-FQ1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RENUPD44324182BF5-E40-FQ1-A 36M-BIT(2M-W
UPD44324185BF5-E40-FQ1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin BGA 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:36MB, DDRII SRAM - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM DDRII 36MBIT 165BGA
UPD44324362BF5-E40-FQ1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:36MB, DDRII SRAM - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM DDRII 36MBIT 165BGA
UPD44324362BF5-E40-FQ1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:36MB, DDRII SRAM - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM DDRII 36MBIT 165BGA
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*