- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379496 > UPD44323362 (NEC Corp.) 32M-BIT CMOS SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM 1M-WORD BY 36-BIT HSTL INTERFACE / REGISTER-REGISTER / LATE WRITE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPD44323362 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 32M-BIT CMOS SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM 1M-WORD BY 36-BIT HSTL INTERFACE / REGISTER-REGISTER / LATE WRITE |
| 中文描述： | 32兆位CMOS同步快速靜態(tài)RAM的100萬字的36位HSTL接口/寄存器間/晚寫 |
| 文件頁數(shù)： | 13/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 252K |
| 代理商： | UPD44323362 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當(dāng)前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
1
D
μ
P
a
Qa
Qc
b
c
d
e
f
g
h
i
j
k
t
ZZE
t
ZZR
Sleep Mode
/K
K
Address
/SS
/ZZ
DQ
Qb
l
Qj
High-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD44324082F5-E50-EQ2 | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD44324082F5-E33-EQ2 | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD44324182F5-E33-EQ2 | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD44324362F5-E33-EQ2 | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD44324082F5-E40-EQ2 | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD44324182BF5-E40-FQ1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RENUPD44324182BF5-E40-FQ1-A 36M-BIT(2M-W |
| UPD44324185BF5-E40-FQ1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin BGA 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:36MB, DDRII SRAM - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM DDRII 36MBIT 165BGA |
| UPD44324362BF5-E40-FQ1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:36MB, DDRII SRAM - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM DDRII 36MBIT 165BGA |
| UPD44324362BF5-E40-FQ1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:36MB, DDRII SRAM - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM DDRII 36MBIT 165BGA |
| UPD44324365BF5-E40-FQ1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:36MB, DDRII SRAM - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM DDRII 36MBIT 165BGA |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。