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參數(shù)資料
| 型號： | UPD4481361GF-A65 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
| 中文描述： | 800萬位ZEROSB SRAM的流動經(jīng)手術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 20/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | UPD4481361GF-A65 |
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20
Data Sheet M15561EJ3V0DS
μ
PD4481161, 4481181, 4481321, 4481361
POWER DOWN (ZZ) CYCLE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
CLK
/CKE
ADV
/WE
/G
Data Out
/BWs
Address
A1
11
12
ZZ
TKHKH
TKHKL
TKLKH
TZZE
TZZR
Power Down (I
SBZZ
) State
A2
/CEs
Note
Note
High-Z
High-Z
Q (A1)
Q1 (A2)
Q2 (A2)
Note
/WE or /CEs must be held HIGH at CLK rising edge (clock edge No.3 in this figure) prior to power down state
entry.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD4481361GF-C75 | 8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
| UPD4481181GF-C85 | 8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
| UPD4481161 | 8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
| UPD4481161GF-C85 | 8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
| UPD4481361 | 8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD45128163G5 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:128 MBIT SDRAM |
| UPD45128163G5-A75-9JF | 制造商:Elpida Memory Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| UPD45128841G5-A75-9JF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 16M x 8, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| UPD4516161AG5A109NF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD4516161AG5-A10-9NF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
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