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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPD45128163G5-A10B |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| 中文描述： | 128兆位同步DRAM 4銀行，LVTTL |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/92頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1107K |
| 代理商： | UPD45128163G5-A10B |
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Data Sheet M12650EJBV0DS00
27
μ
PD45128441, 45128841, 45128163
10.2 Write with Auto Precharge
During a write cycle, the auto precharge starts at the timing that is equal to the value of the t
DPL (MIN.)
after the last
data word input to the device.
DB1
DB2
DB3
DB4
Auto precharge starts
WRITA B
Hi-Z
DB1
DB2
DB3
DB4
Auto precharge starts
WRITA B
Hi-Z
DQ
Command
DQ
Command
/CAS latency = 2
/CAS latency = 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst length = 4
(t
RAS
must be satisfied)
t
DPL(MIN.)
t
DPL(MIN.)
Remark
WRITA means Write with Auto Precharge
In summary, the auto precharge begins relative to a reference clock that indicates the last data word is valid.
In the table below, minus means clocks before the reference; plus means after the reference.
/CAS latency
Read
Write
2
–1
+t
DPL (MIN.)
3
–2
+t
DPL (MIN.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD45128163G5-A10B-9JF | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD45128163G5-A75 | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD45128163G5-A75-9JF | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD45128441G5-A10B | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD45128841G5-A10B | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD45128163G5-A75-9JF | 制造商:Elpida Memory Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| UPD45128841G5-A75-9JF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 16M x 8, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| UPD4516161AG5A109NF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD4516161AG5-A10-9NF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
| UPD4528BC | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC |
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