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參數(shù)資料
| 型號： | UPD46128512-E9X |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 128兆位CMOS移動指明內(nèi)存800萬字由16位溫度范圍 |
| 文件頁數(shù)： | 16/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 817K |
| 代理商： | UPD46128512-E9X |
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Preliminary Data Sheet M17507EJ2V0DS
16
μ
PD46128512-X
Figure 4-1. Latency Definition
Valid
CLK (Input)
/ADV (Input)
Address (Input)
/CE1 (Input)
DQ (Output)
DQ (Input)
RL = 5
DQ (Output)
DQ (Input)
RL = 6
DQ (Output)
DQ (Input)
RL = 7
DQ (Output)
DQ (Input)
RL = 8
DQ (Output)
DQ (Input)
RL = 9
DQ (Output)
DQ (Input)
RL = 10
Q1
Q3
High-Z
Q0
Q2
Q4
Q5
D1
D3
D0
D2
D4
D5
D6
High-Z
Write Latency = 4
Read Latency = 5
High-Z
High-Z
Write Latency = 5
Read Latency = 6
Q1
Q3
High-Z
Q0
Q2
Q4
D1
D3
D0
D2
D4
D5
High-Z
Write Latency = 6
Read Latency = 7
Q1
Q3
High-Z
Q0
Q2
D1
D3
D0
D2
D4
High-Z
Write Latency = 7
Read Latency = 8
Q1
High-Z
Q0
Q2
D1
D3
D0
D2
High-Z
Write Latency = 8
Read Latency = 9
Q1
High-Z
Q0
D1
D0
D2
Q0
D1
D0
High-Z
Write Latency = 9
Read Latency = 10
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