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參數資料
| 型號： | UPD78F9212GR-JJG-A |
| 廠商： | Renesas Electronics America |
| 文件頁數： | 60/175頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 4KB FLASH MEM 16-SSOP |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | 78K0S/Kx1+ |
| 核心處理器： | 78K0S |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 10MHz |
| 外圍設備： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數： | 13 |
| 程序存儲器容量： | 4KB（4K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 數據轉換器： | A/D 4x10b |
| 振蕩器型： | 內部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 16-SSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 包裝： | 托盤 |
| 其它名稱： | 972-1046 UPD78F9212GR-JJG-A-ND |
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CHAPTER 8 WATCHDOG TIMER
User’s Manual U16994EJ6V0UD
150
Cautions 2. After reset is released, WDTM can be written only once by an 8-bit memory
manipulation instruction.
If writing is attempted a second time, an internal reset
signal is generated. However, at the first write, if “1” and “x” are set for WDCS4 and
WDCS3 respectively and the watchdog timer is stopped, then the internal reset
signal does not occur even if the following are executed.
Second write to WDTM
1-bit memory manipulation instruction to WDTE
Writing of a value other than “ACH” to WDTE
3. WDTM cannot be set by a 1-bit memory manipulation instruction.
4. When using the flash memory programming by self programming, set the overflow
time for the watchdog timer so that enough overflow time is secured (Example 1-
byte writing: 200
μs MIN., 1-block deletion: 10 ms MIN.).
Remarks 1. fRL: Low-speed internal oscillation clock oscillation frequency
2. fX: System clock oscillation frequency
3.
×: Don’t care
4. Figures in parentheses apply to operation at fRL = 480 kHz (MAX.), fX = 10 MHz.
(2) Watchdog timer enable register (WDTE)
Writing ACH to WDTE clears the watchdog timer counter and starts counting again.
This register can be set by an 8-bit memory manipulation instruction.
Reset signal generation sets this register to 9AH.
Figure 8-3. Format of Watchdog Timer Enable Register (WDTE)
0
1
2
3
4
5
6
7
Symbol
WDTE
Address: FF49H
After reset: 9AH
R/W
Cautions 1. If a value other than ACH is written to WDTE, an internal reset signal is generated.
2. If a 1-bit memory manipulation instruction is executed for WDTE, an internal reset
signal is generated.
3. The value read from WDTE is 9AH (this differs from the written value (ACH)).
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MS3116F22-21SZ | CONN PLUG 21POS STRAIGHT W/SCKT |
| C8051F717-GM | IC 8051 MCU 16K FLASH 24WQFN |
| VE-JT4-IW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W |
| V300C36H150BL3 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 150W |
| D38999/26JA98SN | CONN PLUG 3POS STRAIGHT W/SCKT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UPD78F9212MA-FAA-AX | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:78K0S/KY1+ MCU, 4KB FLASH, 0.125KB RAM, 16-SSOP - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 8BIT 4KB FLASH 16SSOP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 8BIT 10MHZ 4KB 16SSOP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:78K0S Series 8-bit 128 Byte RAM 4 kB Flash 10 MHz Microcontroller - SSOP-16 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU8Bit 1.1MIPS ROM4KRAM128B SSOP16Pin |
| UPD78F9221CS-CAC-A | 功能描述:MCU 8BIT 2KB FLASH 20PIN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:78K0S/Kx1+ 標準包裝:300 系列:78K0R/Ix3 核心處理器:78K/0R 芯體尺寸:16-位 速度:40MHz 連通性:3 線 SIO，I²C，LIN，UART/USART 外圍設備:DMA，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數:27 程序存儲器容量:16KB（16K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數據轉換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:38-SSOP 包裝:托盤 |
| UPD78F9221MC(T)-5A4 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD78F9221MC(T)-5A4-A | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:8BIT MCU 2K FLASH 128B RAM 78F9221 |
| UPD78F9221MC-5A4-A | 功能描述:MCU 8BIT 2KB FLASH 20PIN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:78K0S/Kx1+ 標準包裝:38 系列:Encore!® XP® 核心處理器:eZ8 芯體尺寸:8-位 速度:5MHz 連通性:IrDA，UART/USART 外圍設備:欠壓檢測/復位，LED，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數:16 程序存儲器容量:4KB（4K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 3.6 V 數據轉換器:- 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:管件 其它名稱:269-4116Z8F0413SH005EG-ND |
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