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參數(shù)資料
| 型號： | V53C16129H |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | HIGH PERFORMANCE 128K X 16 BIT FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 128K的高性能× 16位快速頁面模式的CMOS動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 6/20頁 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | V53C16129H |
6
V53C16129H Rev. 1.2 July 1997
MOSEL VITELIC
V53C16129H
32
t
DS
Data in Setup Time
0
0
0
0
ns
14
33
t
DH
Data in Hold Time
5
6
7
10
ns
14
34
t
WOH
Write to OE Hold Time
6
7
8
10
ns
14
35
t
OED
OE to Data Delay Time
6
7
8
10
ns
14
36
t
RWC
Read-Modify-Write Cycle Time
110
115
130
170
ns
37
t
RRW
Read-Modify-Write Cycle RAS Pulse Width
75
80
87
105
ns
38
t
CWD
CAS to WE Delay
30
32
34
40
ns
12
39
t
RWD
RAS to WE Delay in Read-Modify-Write Cycle
58
62
68
85
ns
12
40
t
CRW
CAS Pulse Width (RMW)
48
50
52
65
ns
41
t
AWD
Col. Address to WE Delay
38
41
42
58
ns
12
42
t
PC
EDO Fast Page Mode Read or Write Cycle Time 15
17
19
27
ns
43
t
CP
CAS Precharge Time
5
6
7
10
ns
44
t
CAR
Column Address to RAS Setup Time
20
22
24
30
ns
45
t
CAP
Access Time from Column Precharge
23
25
27
34
ns
7
46
t
DHR
Data in Hold Time Referenced to RAS
30
35
40
50
ns
47
t
CSR
CAS Setup Time CAS-before-RAS Refresh
10
10
10
10
ns
48
t
RPC
RAS to CAS Precharge Time
0
0
0
0
ns
49
t
CHR
CAS Hold Time CAS-before-RAS Refresh
8
10
12
15
ns
50
t
PCM
EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Time
60
65
70
85
ns
51
t
COH
Output Hold After CAS Low
5
5
5
5
ns
52
t
OES
OE Low to CAS HIGH Setup Time
5
5
5
5
ns
53
t
OEH
OE Hold Time from WE during Read-Modify-
Write Cycle
10
10
10
10
ns
54
t
OEP
OE High Pulse Width
10
10
10
10
ns
55
t
T
Transition Time (Rise and Fall)
1.5
50
1.5
50
1.5
50
1.5
50
ns
15
56
t
REF
Refresh Interval (512 Cycles)
8
8
8
8
ms
17
#
Symbol
Parameter
40
45
50
60
Unit
Notes
Min. Max. Min. Max. Min.
Max.
Min. Max.
AC Characteristics
(Cont’d)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V53C16256L | 3.3 Volt 256K x 16 Fast Page Mode CMOS Dynamic RAM(3.3V 256Kx16快速頁面模式CMOS動態(tài)RAM) |
| V53C16256 | 256K x 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM |
| V53C16256H | 256K x 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM |
| V53C16256SH | 256K X 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM WITH SELF REFRESH |
| V53C16258H | HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V53C16129LK60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| V53C16129LT60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| V53C16256 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256K X 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM WITH SELF REFRESH |
| V53C16256H | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256K x 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM |
| V53C16256HK50 | 制造商:Mosel Vitelic Corporation 功能描述: 制造商:VIT/MOSE 功能描述: |
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