參數(shù)資料
型號(hào)： V53C318160A
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： 3.3 Volt 1M X 16 Fast Page Mode CMOS Dynamic RAM(3.3V 1Mx16快速頁(yè)面模式CMOS動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 3.3伏100萬(wàn)× 16快速頁(yè)面模式的CMOS動(dòng)態(tài)RAM（3.3 1Mx16快速頁(yè)面模式的CMOS動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 10/28頁(yè)
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代理商： V53C318160A
10
V53C318160A Rev. 1.4 March 1998
MOSEL V ITELIC
V53C318160A
Waveforms of Write Cycle (OE Controlled Write)
Valid Data
t
RWL
t
WP
t
OEH
t
CWL
Row
“H” or “L”
Hi-Z
Hi-Z
Column
Row
t
ASC
t
RAD
t
CAR
t
CAH
t
RAH
RAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
tRCD
tCAS
tRSH
t
ASR
t
ASR
511816502-06
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
CRP
t
ODD
t
DZO
t
DZC
t
DH
t
DS
t
OEZ
t
CLZ
t
OAC
UCAS
LCAS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V53C318165A Mercury Displacement Relay; Coil Voltage DC Max:24V; Mounting Type:Panel; Contacts:3PST-3NO; Relay Mounting:Panel; Contact Rating:35A; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Relay Terminals:Screw RoHS Compliant: No
V53C318165A50 3.3 VOLT 1M X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
V53C318165A60 3.3 VOLT 1M X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
V53C318165A70 3.3 VOLT 1M X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
V53C364165A 3.3 Volt 4M X 16 EDO Page Mode CMOS Dynamic RAM(3.3V 4Mx16 EDO頁(yè)面模式CMOS動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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