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參數(shù)資料
| 型號： | V53C365165A |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 3.3 Volt 4M X 16 EDO Page Mode CMOS Dynamic RAM(3.3V 4Mx16 EDO頁面模式CMOS動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 3.3伏特4米× 16 EDO公司頁面模式的CMOS動態(tài)RAM（3.3 4Mx16 EDO公司頁面模式的CMOS動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 7/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 163K |
| 代理商： | V53C365165A |
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7
V53C365165A Rev. 1.1 March 1998
MOSEL V ITELIC
V53C365165A
31
t
CDD
CAS high to data delay
10
—
13
—
15
—
ns
14
32
t
ODD
OE
high to data delay
10
—
—
15
—
ns
14
Write Cycle
33
t
WCH
Write command hold time
5
—
7
—
10
—
ns
34
t
WP
Write command pulse width
5
—
7
—
10
—
ns
35
t
WCS
Write command setup time
0
—
0
—
0
—
ns
15
36
t
RWL
Write command to RAS lead time
6
—
8
—
10
—
ns
37
t
CWL
Write command to CAS lead time
6
—
8
—
10
—
ns
38
t
DS
Data setup time
0
—
0
—
0
—
ns
16
39
t
DH
Data hold time
5
—
7
—
10
—
ns
16
Read-Modify-Write Cycle
40
t
RWC
Read-write cycle time
89
—
109
—
133
—
ns
41
t
RWD
RAS to WE delay time
52
—
65
—
77
—
ns
15
42
t
CWD
CAS to
WE
delay time
22
—
28
—
32
—
ns
15
43
t
AWD
Column address to WE delay time
32
—
40
—
47
—
ns
15
44
t
OEH
OE command hold time
5
—
7
—
10
—
ns
EDO Page Mode Cycle
45
t
PC
EDO Page Mode cycle time
16
—
20
—
24
—
ns
46
t
CPA
Access time from CAS precharge
—
22
—
27
—
32
ns
7
47
t
COH
Output data hold time
3
—
5
—
5
—
ns
48
t
RAS
RAS pulse width in EDO page mode
40
200K
50
200K
60
200K
ns
49
t
RHPC
CAS precharge to RAS Delay
22
—
27
—
32
—
ns
50
t
OEP
OE pulse width
5
—
5
—
5
—
ns
51
t
OEHC
OE hold time from CAS high
5
—
5
—
5
—
ns
52
t
WEZ
Output buffer turn-off delay from WE
0
10
0
13
0
15
ns
53
tOES
OE setup time prior to CAS
5
—
5
—
5
—
ns
EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle
54
t
PRWC
EDO page mode read-write cycle time
44
—
54
—
63
—
ns
55
t
CPWD
CAS precharge to WE
34
—
42
—
49
—
ns
AC Characteristics
(5,6)
(Cont’d)
T
A
= 0 to 70
°
C,V
CC
= 3.3 V
±
0.3V , t
T
= 2 ns
#
Symbol
Parameter
-40
- 50
- 60
Unit
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
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PDF描述 |
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