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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V54C3256164VB |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| 中文描述： | 片256Mbit SDRAM的3.3伏，第二的TSOP /系統(tǒng)芯片的BGA / WBGA包裝16米x 16，32 × 8，64米× 4 |
| 文件頁數(shù)： | 20/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 853K |
| 代理商： | V54C3256164VB |
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V54C3256(16/80/40)4V(T/S/B) Rev. 1.6 September 2002
MOSEL VITELIC
V54C3256(16/80/40)4V(T/S/B)
Timing Diagrams
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
3. Read Interrupted by a Read
4. Read to Write Interval
4.1 Read to Write Interval
4.2 Minimum Read to Write Interval
4.3 Non-Minimum Read to Write Interval
5. Burst Write Operation
6. Write and Read Interrupt
6.1 Write Interrupted by a Write
6.2 Write Interrupted by Read
7. Burst Write & Read with Auto-Precharge
7.1 Burst Write with Auto-Precharge
7.2 Burst Read with Auto-Precharge
8. Burst Termination
8.1 Termination of a Burst Write Operation
8.2 Termination of a Burst Write Operation
9. AC- Parameters
9.1 AC Parameters for a Write Timing
9.2 AC Parameters for a Read Timing
10. Mode Register Set
11. Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
12. Power Down Mode
13. Self Refresh (Entry and Exit)
14. Auto Refresh (CBR)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3256164VS | 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C3256164VT | 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C333322V | 200/183/166 MHz 3.3 VOLT ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 32 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 32 |
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| V54C365164 | HIGH PERFORMANCE 166/143/125 MHz 3.3 VOLT 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 1Mbit X 16 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| V54C3256164VBT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
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| V54C3256164VS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
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