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參數(shù)資料
| 型號： | V54C3256164VB |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| 中文描述： | 片256Mbit SDRAM的3.3伏，第二的TSOP /系統(tǒng)芯片的BGA / WBGA包裝16米x 16，32 × 8，64米× 4 |
| 文件頁數(shù)： | 8/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 853K |
| 代理商： | V54C3256164VB |
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MOSEL VITELIC
V54C3256(16/80/40)4V(T/S/B)
8
V54C3256(16/80/40)4V(T/S/B) Rev1.6 September
Capacitance*
T
A
= 0 to 70
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, f = 1 Mhz
*
Note:
Capacitance is sampled and not 100% tested.
Absolute Maximum Ratings*
Operating temperature range..................0 to 70 °C
Storage temperature range................-55 to 150 °C
Input/output voltage.................. -0.3 to (V
CC
+0.3) V
Power supply voltage .......................... -0.3 to 4.6 V
Power dissipation ..............................................1 W
Data out current (short circuit).......................50 mA
*Note:
Stresses above those listed under “Absolute Maximum
Ratings” may cause permanent damage of the device.
Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Symbol
Parameter
Max. Unit
C
I1
Input Capacitance (A0 to A12)
5
pF
C
I2
Input Capacitance
RAS, CAS, WE, CS, CLK, CKE, DQM
5
pF
C
IO
Output Capacitance (I/O)
6.5
pF
C
CLK
Input Capacitance (CLK)
4
pF
Block Diagram
Row decoder
Memory array
Bank 0
8192 x 512
x 16 bit
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 1
8192 x 512
x16 bit
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 2
8192 x 512
x 16 bit
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 3
8192 x 512
x 16 bit
C
S
Input buffer
Output buffer
I/O
1
-I/O
16
Column address
counter
Column address
buffer
Row address
buffer
Refresh Counter
A0 - A12, BA0, BA1
A0 - A8, AP, BA0, BA1
Control logic & timing generator
C
C
C
R
C
W
L
Row Addresses
Column Addresses
U
x16 Configuration
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3256164VS | 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C3256164VT | 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C333322V | 200/183/166 MHz 3.3 VOLT ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 32 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 32 |
| V54C365164VB | High Performance PC100/125MHz 3.3 Volt 4M X 16 Synchronous DRAM(3.3V高性能PC100/125MHZ4Mx16同步動態(tài)RAM) |
| V54C365164 | HIGH PERFORMANCE 166/143/125 MHz 3.3 VOLT 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 1Mbit X 16 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C3256164VBS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C3256164VBT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C3256164VBUC | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:LOW POWER 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, 54-BALL SOC BGA 54-PIN TSOPII 16M X 16 |
| V54C3256164VBUT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:LOW POWER 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, 54-BALL SOC BGA 54-PIN TSOPII 16M X 16 |
| V54C3256164VS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
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