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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V54C3256164VBF7 |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-210, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 8/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | V54C3256164VBF7 |
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16
V54C3256(16/80/40)4VB Rev. 1.0 December 2003
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3256(16/80/40)4VB
Operating Currents (TA = 0 to 70°C, VCC = 3.3V ± 0.3V)
(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted)
Notes:
7.
These parameters depend on the cycle rate and these values are measured by the cycle rate under the minimum value of tCK and
tRC. Input signals are changed one time during tCK.
8.
These parameter depend on output loading. Specified values are obtained with output open.
Symbol
Parameter & Test Condition
Max.
Unit
Note
-6
-7 / -7PC
-8PC
ICC1
Operating Current
tRC = tRCMIN., tRC = tCKMIN.
Active-precharge command cycling,
without Burst Operation
1 bank operation
180
160
140
mA
7
ICC2P
Precharge Standby Current
in Power Down Mode
CS =VIH, CKE≤ VIL(max)
tCK = min.
2
mA
7
ICC2PS
tCK = Infinity
1
mA
7
ICC2N
Precharge Standby Current
in Non-Power Down Mode
CS =VIH, CKE≥ VIL(max)
tCK = min.
30
mA
ICC2NS
tCK = Infinity
5
mA
ICC3N
No Operating Current
tCK = min, CS = VIH(min)
bank ; active state ( 4 banks)
CKE
≥ V
IH(MIN.)
30
mA
ICC3P
CKE
≤ V
IL(MAX.)
(Power down mode)
555
mA
ICC4
Burst Operating Current
tCK = min
Read/Write command cycling
170
150
120
mA
7,8
ICC5
Auto Refresh Current
tCK = min
Auto Refresh command cycling
220
200
180
mA
7
ICC6
Self Refresh Current
Self Refresh Mode, CKE
≤ 0.2V
1.5
mA
L-version
(C component rev)
0.8
mA
U-version
(C component rev)
0.5
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3256164VBJ7PC | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| VT-800-DFR-406C-20M0000000 | TCVCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
| VT-800-FFR-106A-16M3960000 | TCVCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 16.396 MHz |
| VT-800-FFR-106A-26M0000000 | TCVCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 26 MHz |
| VT-800-FFR-106C-20M0000000 | TCVCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C3256164VBS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C3256164VBT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C3256164VBUC | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:LOW POWER 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, 54-BALL SOC BGA 54-PIN TSOPII 16M X 16 |
| V54C3256164VBUT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:LOW POWER 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, 54-BALL SOC BGA 54-PIN TSOPII 16M X 16 |
| V54C3256164VS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
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