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參數(shù)資料
| 型號： | V54C365804VB |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | High Performance PC100/125MHz 3.3 Volt 8M X 8 Synchronous DRAM(3.3V高性能pc100/125MHz 8Mx8同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 高性能PC100/125MHz 3.3伏8米× 8同步DRAM（3.3V的高性能pc100/125MHz 8Mx8同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 19/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 457K |
| 代理商： | V54C365804VB |
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19
V54C365804VB Rev. 1.1 February 1999
MOSEL V ITELIC
V54C365804VB
4.2 Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
4.3 Non-Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3, 4
COMMAND
NOP
BANK A
ACTIVATE
NOP
READ A
WRITE A
NOP
NOP
NOP
DQM
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
Must be Hi-Z before
the Write Command
t
CK2,
I/O’s
CAS latency = 2
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
1 Clk Interval
t
DQZ
t
DQW
: “H” or “L”
NOP
READ A
NOP
NOP
READ A
NOP
WRITE B
NOP
NOP
DQM
DIN B0
DIN B1
DIN B2
t
CK1,
I/O’s
CAS latency = 2
t
CK2,
I/O’s
CAS latency = 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
COMMAND
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DOUT A1
DOUT A0
Must be Hi-Z before
the Write Command
t
CK3,
I/O’s
CAS latency = 4
t
DQZ
t
DQW
: “H” or “L”
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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