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參數(shù)資料
| 型號： | V62C5181024LL-70P |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | ECONOLINE: RY & RX - Controllable Output- 1kVDC Isolation- No Heatsink Required- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- No External Components- Fully Encapsulated- Efficiency to 70% |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 30/43頁 |
| 文件大小： | 1155K |
| 代理商： | V62C5181024LL-70P |
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CMOS SDRAM
K4S643232C
REV. 1.1 Nov. '99
- 30
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(C-Bank)
Precharge
(B-Bank)
Read
(D-Bank)
: Don't care
*Note :
1. CS can be don't cared when RAS, CAS and WE are high at the clock high going dege.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
Row Active
(B-Bank)
*Note 2
*Note 1
Row Acive
(C-Bank)
Read
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(D-Bank)
Precharge
(C-Bank)
Precharge
(D-Bank)
BA
0
BA
1
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
QAa0
QAa1
QAa2
QBb0
QBb1
QBb2 QCc0
QCc1 QCc2
QDd0
QDd1 QDd2
QAa0
QAa1
QAa2
QBb0
QBb1
QBb2 QCc0
QCc1
QCc2 QDd0
QDd1 QDd2
RAa
RBb
RCc
RDd
RAa
RBb
CAa
RCc
CBb
RDd
CCc
CDd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V62C518256L-35F | 32K X 8 STATIC RAM |
| V62C518256 | 32K X 8 STATIC RAM |
| V62C518256LL-70F | 32K X 8 STATIC RAM(54.75 k |
| V62C518256LL-70P | 32K X 8 STATIC RAM(54.75 k |
| V62C51864L-35PI | 8K X 8 STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V62C5181024LL-70PI | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128K X 8 STATIC RAM |
| V62C5181024LL-70T | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128K X 8 STATIC RAM |
| V62C5181024LL-70TI | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128K X 8 STATIC RAM |
| V62C5181024LL70W | 制造商:MOST 功能描述: |
| V62C5181024LL-70W | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128K X 8 STATIC RAM |
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