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參數(shù)資料
| 型號： | V62C5181024LL-70P |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | ECONOLINE: RY & RX - Controllable Output- 1kVDC Isolation- No Heatsink Required- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- No External Components- Fully Encapsulated- Efficiency to 70% |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 31/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 1155K |
| 代理商： | V62C5181024LL-70P |
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CMOS SDRAM
K4S643232C
REV. 1.1 Nov. '99
- 31
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Row Active
(D-Bank)
Write
(D-Bank)
: Don't care
*Note :
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
3.For -55/60/70/80/10, tRDL=1CLK product can be supported within restricted amounts and it will be distinguished by bucket code
"NV". From the next generation, tRDL will be only 2CLK for every clock frequency
Row Active
(B-Bank)
tRDL
Row Active
(C-Bank)
Precharge
(All Banks)
tCDL
Write
(B-Bank)
Write
(C-Bank)
*Note 1
BA
0
BA
1
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
RAa
RBb
CAa
CBb
RCc
RDd
CCc
CDd
RCc
RDd
RAa
RBb
*Note 2
DAa0
DAa1 DAa2
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2 DBb3
DCc0
DCc1
DDd0
DDd1
DDd2
*Note 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V62C518256L-35F | 32K X 8 STATIC RAM |
| V62C518256 | 32K X 8 STATIC RAM |
| V62C518256LL-70F | 32K X 8 STATIC RAM(54.75 k |
| V62C518256LL-70P | 32K X 8 STATIC RAM(54.75 k |
| V62C51864L-35PI | 8K X 8 STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V62C5181024LL-70PI | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128K X 8 STATIC RAM |
| V62C5181024LL-70T | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128K X 8 STATIC RAM |
| V62C5181024LL-70TI | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128K X 8 STATIC RAM |
| V62C5181024LL70W | 制造商:MOST 功能描述: |
| V62C5181024LL-70W | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128K X 8 STATIC RAM |
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