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參數(shù)資料
| 型號： | VG26S17400DJ-5 |
| 英文描述： | DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|26PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內(nèi)存|快速頁面| 4MX4 |的CMOS | SOJ | 26PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 9/25頁 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | VG26S17400DJ-5 |
Document:1G5-0126
Rev.1
Page 9
VIS
VG26(V)(S)17400D
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
DC Characteristics ; 3.3 - Volt Version (cont.)
(T
a
= 0 to 70°C, V
CC
= + 3.3V 10%, V
SS
= 0V)
Notes :
1. l
CC
is specified as an average current. It depends on output loading condition and cycle rate when
the device is selected. l
CC
max is specified at the output open condition.
2. Address can be changed once or less while RAS = V
IL
.
3. For l
CC4
, address can be changed once or less within one Fast page mode cycle time.
Parameter
Symbol
Test Conditions
VG26 (V) (S) 17400D
-5
Min
Max
-5
5
Unit Notes
-6
Min
Max
Input leakage
current
Output leakage
current
Output high
voltage
Output low
voltage
I
LI
+ 0.3V
-5
5
I
LO
+ 0.3V
Dout = Disable
l
OH
= -2mA
-5
5
-5
5
V
OH
2.4
-
2.4
-
V
V
OL
l
OL
= + 2mA
-
0.4
-
0.4
V
0V
Vin
V
CC
≤
≤
μ
A
0V
Vout
V
CC
≤
≤
μ
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG2617400DJ-5 | DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|26PIN|PLASTIC |
| VG26V17400DJ-6 | DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|26PIN|PLASTIC |
| VG36641641DT-6 | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-7 | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-7L | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VG26S17400DJ-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| VG26S17400DT-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| VG26S17400DT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| VG26S17400EJ-5 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM |
| VG26S17400EJ-6 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM |
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