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參數資料
| 型號： | VG36641641DT-6 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS |
| 文件頁數： | 21/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | VG36641641DT-6 |
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Document :1G5-0177
Rev.2
Page 21
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
8.2 Write with Auto Precharge
During a write cycle, the auto precharge starts at the timing that is equal to the value of t
DPL(min.)
after the last data
word input to the device.
WRITE with AUTO PRECHRGE
In summary, the auto precharge cycle begins relative to a reference clock that indicates the last data word is valid.
In the table below, minus means clocks before the reference; plus means clocks after the reference.
CAS latency
2
Read
-1
Write
+ t
DPL(min.)
+ t
DPL(min.)
3
-2
Burst lengh = 4
CLK
Command
CAS latency = 2
DQ
Command
CAS latency = 3
DQ
Remark WRITA means WRITE with AUTO Precharge
Hi - Z
DB0
DB3
DB2
DB1
WRITA B
WRITA B
T0
T1
T
2
T3
T4
T5
T6
T7
Hi - Z_
T8
t
DPL
t
DPL
DB0
DB3
DB2
DB1
AUTO PRECHARGE starts
AUTO PRECHARGE starts
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG36641641DT-7 | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-7L | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-8H | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DTL-6 | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DTL-7 | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| VG36641641DT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-7L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-8H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DTL-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DTL-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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