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參數(shù)資料
| 型號： | VG36641641DTL-6 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 60/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | VG36641641DTL-6 |
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Document :1G5-0177
Rev.2
Page 60
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Full Page Read Cycle (1 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK2
Burst Length=Full Page, CAS Latency=2
Activate
Command
Bank A
Read
Hi-Z
Command
Bank A
Ra
QAa+1
The burst counter wraps
from the highest order
page address back to zero
during this time interval
Burst Stop
Command
Read
Command
Bank B
QAa
Full page burst operation does not
terminate when the burst length is
satisfied; the burst counter
increments and continues bursting
beginning with the starting address
Ra
Ca
Rb
tRP
High
Activate
Command
Bank B
Ra
Rb
Ca
QAa+2
QAa-2 QAa-1
QAa
QAa+1
QBa
QBa+1 QBa+2QBa+3 QBa+4 QBa+51QBa+6
Activate
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank B
Ra
* BS1=”L”, Bank C,D = Idle
*BS0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG36641641DTL-7 | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DTL-7L | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DTL-8H | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641BT | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VG36641641DTL-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DTL-7L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DTL-8H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG3664321412BT | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36643241BT-10 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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