參數(shù)資料
型號(hào)： VG36641641DTL-6
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： CMOS Synchronous Dynamic RAM
中文描述： 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的CMOS
文件頁數(shù)： 68/69頁
文件大?。?/td> 1364K
代理商： VG36641641DTL-6
Document :1G5-0177
Rev.2
Page 68
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Precharge Termination of a Burst (2 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Activate
Command
Bank A
Write
Hi-Z
Command
Bank A
RAa
Activate
Command
Bank A
CAb
RAb
RAb
RAc
Precharge
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
High
RAa
RAc
CAa
DAa1
DAa0
QAb0
QAb1
QAb2
QAb3
tDPL
tRP
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
tRCD
tRP
Write Data
is masked
Precharge Termination
of a Write Burst.
Precharge Termination
of a Read Burst.
t
RAS
* BS1=”L”, Bank C,D = Idle
*BS0
Burst Length=8, CAS Latency=3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VG36641641DTL-7 CMOS Synchronous Dynamic RAM
VG36641641DTL-7L CMOS Synchronous Dynamic RAM
VG36641641DTL-8H CMOS Synchronous Dynamic RAM
VG36641641DT CMOS Synchronous Dynamic RAM
VG36641641BT CMOS Synchronous Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VG36641641DTL-7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM
VG36641641DTL-7L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM
VG36641641DTL-8H 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM
VG3664321412BT 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM
VG36643241BT-10 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*