參數(shù)資料
型號(hào)： VN0605T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V，最小夾斷電流0.18A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓60V的，最小夾斷電流0.18A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： VN0605T
VN10LLS, VN0605T, VN0610LL, VN2222LL
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
11-4
Document Number: 70212
S-00528—Rev. F, 03-Mar-00
0.001
0.010
0.100
1.000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
500 mA
r
DS
= 50 mA
)
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
Threshold Voltage
T
J
– Temperature ( C)
–0.75
–0.50
–0.25
–0.00
0.25
0.50
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
V
V
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
0.1
1
100
10
1 K
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
N
T
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN0606L N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs
VN0606L N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors(最小漏源擊穿電壓60V，夾斷電流0.33A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
VN0606 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
VN0606 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN0606L N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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參數(shù)描述
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VN0605T-T1-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.18A 3-Pin TO-236 T/R
VN0606 制造商:SUPERTEX 制造商全稱(chēng):SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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