參數(shù)資料
型號(hào): VN10KN9
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 310MA I(D) | TO-52
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 310MA(丁)|到52
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代理商: VN10KN9
VN10KC
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
11-4
Document Number: 70967
S-04279
Rev. C, 16-Jul-01
1
0.1
0.5
1.0
100
10
V
DD
= 15 V
R
L
= 25
V
GS
= 0 to 10 V
Threshold Region
Capacitance
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
I
D
Drain Current (A)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
Total Gate Charge (pC)
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
10
1
0.01
0
0.25
1.75
0.1
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
100 C
25_C
55 C
0 C
T
A
= 150 C
100
80
60
0
0
10
50
40
20
20
30
40
15.0
12.5
10.0
0
0
100
600
7.5
5.0
200
300
400
2.5
500
30 V
48 V
I
D
= 0.5 A
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
I
D
C
V
G
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN10KT TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 310MA I(D) | TO-236AB
VN10KN3 CAP 0.022UF 50V 1% NP0(C0G) AXIAL RAD.40 BULK S-MIL-PRF-20
VN10K N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN10KC N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.31A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
VN10KLS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.31A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
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