參數(shù)資料
型號(hào)： VN10KT
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 310MA I(D) | TO-236AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 310MA（丁）|對(duì)236AB
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： VN10KT
VN10KC
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
11-2
Document Number: 70967
S-04279
—
Rev. C, 16-Jul-01
Limits
Parameter
Symbol
Test Conditions
Typ
a
Min
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 100 A
120
60
Gate-Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1 mA
1.2
0.8
2.5
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
= 15 V
1
100
nA
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
10
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
T
A
= 125 C
500
A
On-State Drain Current
b
I
D(on)
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
1
0.75
A
V
GS
= 5 V, I
D
= 0.2 A
4
7.5
Drain-Source On-Resistance
b
r
DS(on)
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 A
3
5
T
A
= 125 C
5.6
9
Forward Transconductance
b
g
fs
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.5 A
300
100
Common Source Output Conductance
b
g
os
V
DS
= 7.5 V, I
D
= 0.05 A
0.2
mS
Dynamic
Input Capacitance
C
iss
38
60
Output Capacitance
C
oss
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
16
25
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
2
5
Switching
c
Turn-On Time
t
ON
V
DD
= 15 V, R
L
= 23
I
D
0.6 A, V
= 10 V
R
G
= 25
7
10
Turn-Off Time
t
OFF
9
10
ns
Notes
a.
b.
c.
For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
Pulse test: PW
300 s duty cycle
Switching time is essentially independent of operating temperature.
VNDP06
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN10KN3 CAP 0.022UF 50V 1% NP0(C0G) AXIAL RAD.40 BULK S-MIL-PRF-20
VN10K N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN10KC N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V，夾斷電流0.31A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
VN10KLS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V，夾斷電流0.31A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
VN10KM N-Channel Enhancement Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VN10K-TO18 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
VN10LDA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
VN10LDB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
VN10LDC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
VN10LE 功能描述:MOSFET 60V 5 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*