參數(shù)資料
型號： VND5N07FM
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： ？OMNIFET？：完全AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/15頁
文件大?。?/td> 367K
代理商： VND5N07FM
VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
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Figure 9. Static Drain-Source On Resistance
Figure 10. Static Drain-Source On Resistance
Figure 11. Input Charge vs Input Voltage
Figure 12. Capacitance Variations
Figure 13. Normalized Input Threshold Voltage
vs Temperature
Figure 14. Normalized On Resistance vs
Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND5N07-1 ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VND600-E DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND60013TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND600SP Double Channel High Side Solid State Relay(雙通道高邊智能功率固態(tài)繼電器)
VND600 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND5N07TRE 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
VND5N07TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VND5T016ASP-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
VND5T016ASPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double CH High-Side 41V 16mOhm 70A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5T035AK-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side 24V 58Vcc 35mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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