參數(shù)資料
型號： VND5N07FM
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： ？OMNIFET？：完全AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/15頁
文件大?。?/td> 367K
代理商： VND5N07FM
7/15
VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
Figure 15. Normalized On Resistance vs
Temperature
Figure 16. Turn-on Current Slope
Figure 17. Turn-on Current Slope
Figure 18. Turn-off Drain-Source Voltage Slope
Figure 19. Turn-off Drain-Source Voltage Slope
Figure 20. Switching Time Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND5N07-1 ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VND600-E DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND60013TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND600SP Double Channel High Side Solid State Relay(雙通道高邊智能功率固態(tài)繼電器)
VND600 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND5N07TRE 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
VND5N07TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VND5T016ASP-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
VND5T016ASPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double CH High-Side 41V 16mOhm 70A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5T035AK-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side 24V 58Vcc 35mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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