參數(shù)資料
型號： VND7N04
廠商： 意法半導體
英文描述： "OMNIFET": Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET)
中文描述： “OMNIFET”：充分Autoprotected功率MOSFET（全自動保護功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 11/14頁
文件大?。?/td> 168K
代理商： VND7N04
DIM.
mm
inch
MIN.
2.2
TYP.
MAX.
2.4
MIN.
0.086
TYP.
MAX.
0.094
A
A1
0.9
1.1
0.035
0.043
A3
0.7
1.3
0.027
0.051
B
0.64
0.9
0.025
0.031
B2
5.2
5.4
0.204
0.212
B3
0.85
0.033
B5
0.3
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B6
0.95
0.037
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
0.48
0.6
0.019
0.023
D
6
6.2
0.236
0.244
E
6.4
6.6
0.252
0.260
G
4.4
4.6
0.173
0.181
H
15.9
16.3
0.626
0.641
L
9
9.4
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L1
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1.2
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L2
0.8
1
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0.039
A
C
C
A
H
A
D
L
L2
L1
1
3
=
=
B
B
B
B
E
G
=
=
=
=
B
2
TO-251 (IPAK) MECHANICAL DATA
0068771-E
VND7N04/VND7N04-1/VNP7N04FI/VNK7N04FM
11/14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND810SP13TR 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
VND810 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND81013TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND810MSP DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND810MSP13TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND7N04_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:"OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET
VND7N04-1 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VND7N0413TR 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VND7N04-1-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VND7N04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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