參數(shù)資料
型號： VND7N04
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： "OMNIFET": Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護(hù)功率MOSFET)
中文描述： “OMNIFET”：充分Autoprotected功率MOSFET（全自動保護(hù)功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大小： 168K
代理商： VND7N04
Static Drain-Source On Resistance
Input Chargevs Input Voltage
Normalized Input Threshold Voltage vs
Temperature
Static Drain-Source OnResistance
CapacitanceVariations
Normalized OnResistance vs Temperature
VND7N04/VND7N04-1/VNP7N04FI/VNK7N04FM
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND810SP13TR 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
VND810 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND81013TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND810MSP DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND7N04_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:"OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET
VND7N04-1 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VND7N0413TR 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VND7N04-1-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VND7N04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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