型號: | VND7N04 |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | "OMNIFET": Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET) |
中文描述: | “OMNIFET”:充分Autoprotected功率MOSFET(全自動保護功率MOSFET的) |
文件頁數(shù): | 5/14頁 |
文件大?。?/td> | 168K |
代理商: | VND7N04 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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VND810SP13TR | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
VND810 | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
VND81013TR | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
VND810MSP | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
VND810MSP13TR | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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VND7N04_09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:"OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET |
VND7N04-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VND7N0413TR | 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VND7N04-1-E | 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VND7N04-E | 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |