參數(shù)資料
型號： VQ1004J
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
中文描述： N通道60 - V（下局副局長）和Quad MOSFET的單
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： VQ1004J
2N6660, VQ1004J/P
Vishay Siliconix
Document Number: 70222
S-04379
—
Rev. E, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-3
Ohmic Region Characteristics
Output Characteristics for Low Gate Drive
On-Resistance vs. Drain Current
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
–
Drain Current (A)
T
J
–
Junction Temperature ( C)
2.0 V
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
80
60
40
20
0
2.8 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
V
GS
= 10 V
2.0
0
1
2
3
4
5
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
GS
= 10 V
8 V
7 V
6 V
5 V
4 V
3 V
2 V
1.0
0.8
0.6
0
0
2
10
0.4
0.2
4
6
8
125 C
25 C
V
DS
= 15 V
T
J
=
–
55 C
2.8
0
4
8
12
16
20
2.4
2.0
1.6
0
1.2
0.8
0.4
1.0 A
0.5 A
I
D
= 0.1 A
2.5
2.0
1.5
0
0
0.4
2.0
1.0
0.5
0.8
1.2
1.6
VGS= 10 V
2.25
2.00
1.75
0.50
–
50
–
10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.0 A
0.2 A
1.8 V
I
D
–
I
D
–
I
D
–
r
D
–
r
D
–
r
D
–
(
N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VQ1006P N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V，夾斷電流0.4A的N溝道增強型MOSFET)
VQ1006P N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
VQ2000J TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP
VQ2000P TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP
VQ2004P TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VQ1004P 功能描述:MOSFET QD 60V 0.46A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1004P-2 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.46A 14PIN SBDIP - Bulk
VQ1004P-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.46A 14-Pin SBCDIP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.46A 14PDIP - Bulk
VQ1006J 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 400MA I(D) | DIP
VQ1006P 功能描述:MOSFET 90V QUAD N-CHANNEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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