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參數(shù)資料
| 型號： | VQ1004J |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs |
| 中文描述： | N通道60 - V（下局副局長）和Quad MOSFET的單 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | VQ1004J |
2N6660, VQ1004J/P
Vishay Siliconix
www.vishay.com
11-4
Document Number: 70222
S-04379
—
Rev. E, 16-Jul-01
Threshold Region
Capacitance
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
–
Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
–
Drain Current (A)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
–
Total Gate Charge (pC)
10
1
0.01
0.5
0.1
1.0
1.5
2.0
V
DS
= 5 V
25 C
–
55 C
125 C
T
J
= 150 C
C
oss
120
100
80
0
0
10
50
60
40
20
30
40
20
C
iss
C
rss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
15.0
12.5
10.0
0
0
100
600
7.5
5.0
200
300
400
2.5
500
I
D
= 1.0 A
V
DS
= 30 V
48 V
0.1
1
10
100
10
1
50
20
5
2
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to 10 V
t
d(off)
t
r
t
d(on)
t
f
0.1
10 K
1.0
0.01
0.1
1.0
100
10
1 K
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (TO-205AD)
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJC
= 20 C/W
3. T
JM
–
T
C
= P
DM
Z
thJC(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Single Pulse
0.02
0.05
0.01
I
D
–
C
–
V
G
–
t
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VQ1006P | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V，夾斷電流0.4A的N溝道增強型MOSFET) |
| VQ1006P | N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs |
| VQ2000J | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP |
| VQ2000P | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP |
| VQ2004P | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VQ1004P | 功能描述:MOSFET QD 60V 0.46A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VQ1004P-2 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.46A 14PIN SBDIP - Bulk |
| VQ1004P-E3 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.46A 14-Pin SBCDIP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.46A 14PDIP - Bulk |
| VQ1006J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 400MA I(D) | DIP |
| VQ1006P | 功能描述:MOSFET 90V QUAD N-CHANNEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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