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參數(shù)資料
| 型號： | W3H128M72E0400SBI |
| 廠商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA208 |
| 封裝： | 16 X 22 MM, 1 MM PITCH, PBGA-208 |
| 文件頁數(shù)： | 21/31頁 |
| 文件大小： | 993K |
| 代理商： | W3H128M72E0400SBI |
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W3H128M72E-XSBX
28
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
December 2008
Rev. 4
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
Parameter
Symbol
667Mbs CL6
533Mbs CL5
400Mbs CL4
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
ODT
ODT turn-on delay
tAOND
222222
tCK
ODT turn-on
tAON
tAC(MIN)
tAC(MAX) + 1000
tAC(MIN)
tAC(MAX) + 1000
tAC(MIN)
tAC(MAX) + 1000
ps
ODT turn-off delay
tAOFD
2.5
tCK
ODT turn-off
tAOF
tAC(MIN)
tAC(MAX) + 600
tAC(MIN)
tAC(MAX) + 600
tAC(MIN)
tAC(MAX) + 600
ps
ODT turn-on (power-down mode)
tAONPD
tAC(MIN) +
2000
2 x tCK +
tAC(MAX) + 1000
tAC(MIN) +
2000
2 x tCK +
tAC(MAX) + 1000
tAC(MIN) +
2000
2 x tCK +
tAC(MAX) + 1000
ps
ODT turn-off (power-down mode)
tAOFPD
tAC(MIN) +
2000
2 x tCK +
tAC(MAX) + 1000
tAC(MIN) +
2000
2 x tCK +
tAC(MAX) + 1000
tAC(MIN) +
2000
2 x tCK +
tAC(MAX) + 1000
ps
ODT to power-down entry latency
tANPD
333
tCK
ODT power-down exit latency
tAXPD
888
tCK
ODT enable from MRS command
tMOD
12
ns
Power-Down
Exit active power-down to READ
command, MR[bit12=0]
tXARD
222
tCK
Exit active power-down to READ
command, MR[bit12=1]
tXARDS
7-AL
6-AL
tCK
Exit precharge power-down to any
non-READ command
tXP
222
tCK
CKE minimum high/low time
tCKE
333
tCK
AC TIMING PARAMETERS
(continued)
-55°C ≤ TA < +125°C; VCCQ = + 1.8V ± 0.1V, VCC = +1.8V ± 0.1V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W332M64V-100BM | 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA219 |
| W3EG2256M72ASSR202BJD3ISG | 512M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184 |
| W3EG2256M72ASSR202BJD3SG | 512M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184 |
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| W3H128M72E2-667NBM | 128M X 72 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA208 |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W3H128M72E-400SBC | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:128M X 72 DDR2, 1.8V, 400MHZ, 208PBGA COMMERICAL TEMP. - Bulk |
| W3H128M72E-400SBI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:128M X 72 DDR2, 1.8V, 400MHZ, 208PBGA INDUSTRIAL TEMP. - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SDRAM MEMORY |
| W3H128M72E-400SBM | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:128M X 72 DDR2, 1.8V, 400MHZ, 208PBGA MIL-TEMP. - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SDRAM MEMORY |
| W3H128M72E-533NBI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:128M X 72 DDR2, 1.8V, 533MHZ, 208PBGA IND TEMP. - Bulk |
| W3H128M72E-533SBC | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:128M X 72 DDR2, 1.8V, 533MHZ, 208PBGA COMMERICAL TEMP. - Bulk |
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