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參數(shù)資料
| 型號： | XN4601 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | XN4601 |
XN04601
5
SJJ00083BED
NF
I
E
h parameter
I
E
h parameter
V
CE
0
10
1
20
2
18
4
6
8
10
12
14
16
N
Emitter current I
E
(mA)
1
10
V
CB
=
5 V
R
g
=
50 k
T
a
=
25
°
C
f
=
100 Hz
10 kHz
1 kHz
h
Emitter current I
E
(mA)
1
10
1
10
10
2
1
10
V
CE
=
5 V
f
=
270 Hz
T
a
=
25
°
C
h
fe
h
oe
(
μ
S)
h
ie
(k
)
h
re
(
×
10
4
)
h
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
1
10
1
10
10
2
1
10
I
E
=
2 mA
f
=
270 Hz
T
a
=
25
°
C
h
fe
h
oe
(
μ
S)
h
ie
(k
)
h
re
(
×
10
4
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| XN4609 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor |
| XN4683 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor |
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