參數(shù)資料
型號： XP161A11A1PR
廠商： TOREX SEMICONDUCTOR LTD.
英文描述： Power MOS FET
中文描述： 功率MOS場效應管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 58K
代理商： XP161A11A1PR
u
D
:
)
Ambient Temperature:Topr (
:
)
Drain/Source On-State Resistance vs. Ambient Temp.
Pulse Test
G
:
Ambient Temperature:Topr (
:
)
Gate/Source Cut Off Voltage Variance vs. Ambient Temp.
Vds=10V, Id=1mA
Drain/Source Voltage:Vds (V)
Drain Current vs. Drain /Source Voltage
Pulse Test, Ta=25
:
D
D
Gate/Source Voltage:Vgs (V)
Drain Current vs. Gate/Source Voltage
Vds=10V, Pulse Test
D
:
)
Gate/Source Voltage:Vgs (V)
Drain/Source On-State Resistance vs. Gate/Source Voltage
Pulse Test, Ta=25
:
D
:
)
Drain Current:Id (A)
Drain/Source On-State Resistance vs. Drain Current
Pulse Test, Ta=25
:
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PDF描述
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