參數(shù)資料
型號： ZXM62P03G
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： ZXM62P03G
SUMMARY
V
(BR)DSS
= -30V: R
DS(on)
= 0.15 : I
D
= -4.0A
DESCRIPTION
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure
that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This
makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management
applications.
FEATURES
Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
SOT223 package
APPLICATIONS
DC-DC Converters
Audio Output Stages
Relay and Solenoid driving
Motor Control
DEVICE MARKING
ZXM6
2P03
ZXM62P03G
1
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ISSUE 2 - DECEMBER 2002
DEV ICE
REEL
SIZE
TAPE
WIDTH
QUANTITY
PER REEL
ZX M62P03GTA
7”
12mm
1000 units
ZX M62P03GTC
13”
12mm
4000 units
ORDERING INFORMATION
Top View
PINOUT
SOT223
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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ZXMN6A09DN8(1)
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參數(shù)描述
ZXM62P03GTA 功能描述:MOSFET 30V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXM62P03GTC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM63C02 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:20V Dual N and P-Channel Enhancement Mode Mosfet
ZXM63N02E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
ZXM63N03NXTA 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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